TI的600V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能

易于使用的封装将有助于增加功率因数控制器(PFC) AC/DC转换器、高压DC总线转换器和光伏(PV)逆变器等应用中GaN电源设计的部署和采用率。
　 　LMG3410的主要特点和优势
　　使功率密度加倍。与基于硅材料的***升压功率因数转换器相比，600V功率级在图腾柱PFC中的功率损耗还要低50%。减少的物料清单(BOM)数量和更高的效率多可以将电源的尺寸减少50%。
　　减少封装寄生电感。与分立式GaN解决方案相比，全新器件的8mmx8mm四方扁平无引线(QFN)封装减少了功率损耗、组件电压应力和电磁干扰(EMI)。
　　可实现全新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有益于全新开关拓扑，其中包括图腾柱PFC和LLC拓扑，以增加功率密度和效率。
　　 拓展GaN生态系统
　　为了能够让设计人员在他们的电源设计中利用GaN技术所具有的优势，TI还推出了全新的产品，以扩展其GaN生态系统。LMG5200POLEVM-10，一个48V至1V负载点(POL)评估模块，将包括与80V LMG5200 GaN FET功率级配对使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决方案可以在工业、电信和数据通信应用中实现高达92%的效率。