LED外延片成长工艺的解决方案

　　利用拉速与温度环境变化的调整来迟维持企业固定的晶棒直径，所以坩锅***通过不断的上升来进行维持一个固定的液面高度，于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐发展增加，此辐射作为热源将致使固业介面的温度不同梯度问题逐渐开始变小，所以在晶棒成长教育阶段的拉速***逐渐地可以降低，以避免晶棒扭曲的现象以及产生。

　　5.尾部生长(尾部生长)

　　当晶体成长到一个固定(需要)的长度后，晶棒的直径设计***逐渐地发展缩小，直到与液面分开，此乃中国避免因热应力分析造成排差与滑移面现象。

　　切割：

　　晶体棒生长时，可切成片，即外延片.. 晶片是半导体元件“芯片或”芯片的基板，位于由拉伸生长的高纯硅晶柱(晶体锭)上。 切割后的圆片称为外延片..

　　磊晶：

　　砷化物?不同的磊晶依的过程可以分为LPE(液相外延)，则MOCVD(金属有机气相外延)和MBE(分子束外延)。下LPE技术，主要用于一般的发光二极管，和上级MBE技术，容易生长外延薄，并且纯度高，平整度好，但生产能力低，外延生长速率慢。 MOCVD除了纯度高，平整度好，生产能力和外延生长速率快衣角MBE，MOCVD所以现在大多是待产。