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其过程管理首先是将GaAs衬底可以放入一个昂贵的有机结合化学汽相沉积炉(简MOCVD，又称企业外延炉)，再通入III、II族金属进行元素的烷基离子化合物(甲基或乙基化物)蒸气与非金属(V或VI族元素)的氢化物(或烷基物)气体，在高温下，发生热解反应，生成III-V或II-VI族化合物沉积在同一衬底上，生长出这样一层设计厚度仅几微米(1毫米=1000微米)的化合物具有半导体公司外延层。长有外延层的GaAs片也就是常称的外延片。外延片经芯片技术加工后，通电时间就能通过发出?色很纯的单色光，如红色、***等。不同的材料、不同的生长环境条件发展以及对于不同的外延层结构问题都可以得到改变自己发光的?色和亮度。其实，在几微米厚的外延层中，真正实现发光的也仅是作为其中的几百甚至纳米(1微米=1000纳米)厚的量子阱结构。
